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AOB418 参数 Datasheet PDF下载

AOB418图片预览
型号: AOB418
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 112 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOB418
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
(伏)
3
2
1
500
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
C
RSS
V
DS
=15V
I
D
=30A
电容(pF)
3500
3000
2500
2000
1500
1000
C
OSS
C
国际空间站
1000
R
DS ( ON)
有限
1ms
10ms
0.1s
1s
1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10s
DC
10µs
100µs
功率(W)的
100
80
60
40
20
0
0.01
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
100
I
D
(安培)
10
0.1
0.1
1
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
10
100
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
0.01
T
on
单脉冲
0.001
0.00001
T
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
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