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    AOB4184 参数 Datasheet PDF下载

    AOB4184图片预览
    型号： AOB4184
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 143 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AOB4184的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AOB4184的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AOB4184的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AOB4184的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AOB4184的Datasheet PDF文件第6页  
    AOB4184
    N沟道增强型网络场效晶体管
    概述
    该AOB4184 / L采用先进沟道技术
    和设计提供优秀的研发
    DS （ ON）
    低门
    费。用的优异的耐热性
    2
    ð PAK封装，该装置很适合于高
    电流负载的应用。 AOB4184和AOB4184L
    是电相同。
    -RoHS标准
    -AOB4184L是无卤
    TO-263
    D
    2
    PAK
    特点
    V
    DS
    (V) =40V
    I
    D
    = 30 A
    (V
    GS
    = 10V)
    R
    DS （ ON）
    < 10.5毫欧（V
    GS
    = 10V)
    R
    DS （ ON）
    < 13毫欧
    (V
    GS
    = 4.5V)
    100 ％ UIS测试！
    顶视图
    D
    D
    S
    S
    G
    G
    底部视图
    G
    S
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    符号
    V
    DS
    漏源电压
    V
    GS
    栅源电压
    连续漏极
    当前
    G
    漏电流脉冲
    连续漏极
    A
    当前
    雪崩电流
    C
    C
    C
    最大
    40
    ±20
    30
    24
    120
    12
    10
    35
    61
    50
    25
    2.5
    1.6
    -55至175
    单位
    V
    V
    T
    C
    =25°C
    T
    C
    =100°C
    T
    C
    =25°C
    T
    C
    =70°C
    I
    帝斯曼
    I
    AR
    E
    AR
    P
    D
    P
    帝斯曼
    T
    J
    , T
    英镑
    I
    D
    I
    DM
    A
    A
    mJ
    W
    W
    °C
    重复雪崩能量L = 100UH
    T
    C
    =25°C
    功耗
    功耗
    B
    T
    C
    =100°C
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    A
    结温和存储温度范围
    热特性
    参数
    最大结点到环境
    最大结点到环境
    B
    最大结到外壳
    符号
    A
    A
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    R
    θJA
    R
    θJC
    典型值
    11
    42
    2.4
    最大
    17
    50
    3
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司
    www.aosmd.com

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