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AOB430图片预览
型号: AOB430
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 126 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOB430
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AOB430采用先进的沟槽技术和
设计,提供优秀的研发
DS ( ON)
低门
费。此装置适用于在高电压应用
同步整流,负荷开关和一般
各种类型的应用。
标准产品AOB430是
无铅(符合ROHS &索尼259规格) 。
AOB430L是一种绿色产品订购选项。
AOB430和AOB430L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 60V
I
D
= 12A ( VGS = 10V )
R
DS ( ON)
< 63毫欧(V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
< 85毫欧(V
GS
= 6V)
TO-263
D2-PAK
D
顶视图
漏极连接到
TAB
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
60
±20
12
12
30
12
23
50
25
2
1.3
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=25°C
重复雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
11.2
50
2.5
最大
13.5
60
3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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