AOD1N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOD1N60
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内容描述：	1.3A ， 600V N沟道MOSFET [1.3A, 600V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 152 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOD1N60 / AOU1N60

1.3A ， 600V N沟道MOSFET

原工程零件编号AOD9600

概述

该AOD1N60一直使用的制造

先进的高电压MOSFET的过程，是

旨在提供高水平的性能和

鲁棒性流行AC- DC应用。

通过提供低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

随着

雪崩能力保证这些部件可以

通过迅速进入新的和现有的离线功率

电源设计。

TO-252

D- PAK

顶视图

底部视图

TO-251

顶视图

特点

(V) = 600V

= 1.3A

DS （ ON）

< 9Ω （V

= 10V)

100 ％ UIS测试！

100% R

测试了！

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

测试了！

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

Maximium

600

±30

1.3

0.8

4.0

1.0

0.36

-50-150

300

单位

V / ns的

°C

=25°C

=100°C

dv / dt的

, T

英镑

符号

θJA

θCS

θJC

典型

2.3

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

=25°C

功耗

减免上述25

结温和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

参数

最大结点到环境

最大外壳到散热器

最大结到外壳

D，F

A，G

最大

0.5

2.8

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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