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AOD406 参数 Datasheet PDF下载

AOD406图片预览
型号: AOD406
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 114 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOD406
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=20A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
T
J
=125°C
0.8
100
4
5.8
4.6
102
0.64
5
7
5.7
1
85
10500
1.1
30
0.005
1
5
100
1.5
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D(上)
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
9130
625
387
0.4
72.4
0.5
85
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ,我
D
=20A
13.4
16.8
14.7
14.2
105.5
23.5
30.5
21
22
21
150
35
40
33
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=0.75Ω,
R
=3Ω
I
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
2
答: R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的具体的电路板设计,并且最高温度FO 175℃下也可以使用,如果印刷电路板或散热片允许的话。
B的功耗P被基于T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设置上更加有用
D
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流,当该等级下降的包下面
极限。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
2
F.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
G的最大额定电流被包电流能力是有限的。
版本1 : 2005年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知
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