AOD406L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOD406L
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 114 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOD406

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

本AOD406采用先进的沟槽技术，提供

优秀的研发

DS （ ON）

，直通免疫力和体二极管

的特点。此装置非常适合于用作低

侧开关在CPU内核电源转换。

标准

产品AOD406是无铅的（符合ROHS &索尼259

规范）。 AOD406L是一种绿色产品订购

选项。 AOD406和AOD406L是电相同。

特点

(V) = 30V

= 85A （V

= 10V)

DS （ ON）

< 5.0mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 5.7mΩ （V

= 4.5V)

TO-252

D- PAK

顶视图

漏极连接

为制表

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

B，G

漏电流脉冲

雪崩电流

重复雪崩能量L = 0.1mH

=25°C

功耗

最大

±12

200

140

100

2.5

1.6

-55至175

单位

°C

=25°C

=100°C

帝斯曼

, T

英镑

=100°C

=25°C

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

14.2

0.56

最大

1.5

单位

° C / W

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