AOD407L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOD407L
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 130 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOD407

P沟道增强型场效应晶体管

概述

本AOD407采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和低

栅极电阻。具有优异的耐热性

的DPAK封装的，该装置很适合于

高电流负载的应用。

标准产品

AOD407是Pb-free （符合ROHS &索尼259

规范）。 AOD407L是一种绿色产品

订购选项。 AOD407和AOD407L是

电相同。

TO-252

D- PAK

特点

(V) = -60V

= -12A （V

= -10V)

DS （ ON）

< 115mΩ （V

= -10V)

DS （ ON）

< 150mΩ （V

= -4.5V)

顶视图

漏极连接到

TAB

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

最大

-60

±20

-12

-10

-30

-12

2.5

1.6

-55至175

单位

°C

=25°C

=100°C

帝斯曼

, T

英镑

=25°C

重复雪崩能量L = 0.1mH

功耗

=100°C

=25°C

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

16.7

2.5

最大

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案