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AOD408 参数 Datasheet PDF下载

AOD408图片预览
型号: AOD408
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 156 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOD408
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=10A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=18A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=18A
T
J
=125°C
1
40
13.6
18
20.6
25
0.75
1
18
1040
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
180
110
0.7
19.8
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=18A
9.8
2.5
3.5
4.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=0.82Ω,
R
=3Ω
I
F
= 18A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 18A ,的di / dt = 100A / μs的
3.9
17.4
3.2
19
8
25
0.85
25
12.5
1250
18
24
27
1.8
30
1
5
100
2.5
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值依赖于用户的
具体的电路板设计,最高温度
of
175℃下也可以使用,如果在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下,额外的散热使用。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
启3 : 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
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