AOD4106 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOD4106
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 138 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOD4106

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AOD4106采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极charge.This设备

适于用作在SMPS和一个低侧开关

一般用途的应用。

标准产品

AOD4106是无铅的（符合ROHS &索尼259

规范）。 AOD4106L是一种绿色产品订购

选项。 AOD4106和AOD4106L电

相同的。

特点

(V) = 25V

= 50A （V

= 20V)

DS （ ON）

< 5mΩ的（V

= 20V)

DS （ ON）

< 6.5mΩ （V

= 12V)

DS （ ON）

< 8.1mΩ （V

= 10V)

UIS测试

RG ，西塞，科斯，测试的Crss

TO-252

D- PAK

顶视图

漏极连接到

TAB

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

最大

±30

180

135

6.25

-55至175

单位

°C

=25°C

=100°C

帝斯曼

, T

英镑

=25°C

重复雪崩能量L = 0.3mH

功耗

=100°C

=25°C

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

A，D

最大结点到环境

A，D

最大结点到环境

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

1.5

最大

2.0

单位

° C / W

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