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    AOD4110 参数 Datasheet PDF下载

    AOD4110图片预览
    型号： AOD4110
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 118 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AOD4110的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AOD4110的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AOD4110的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AOD4110的Datasheet PDF文件第5页  
    SRFET
    AOD4110
    N沟道增强型网络场效晶体管
    TM
    概述
    该AOD4110采用先进的沟槽技术
    一个单片集成肖特基二极管，以提供
    优秀的研发
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。该装置是
    适合用作一个低侧FET在SMPS中，负载
    开关和一般用途的应用。标准
    产品AOD4110是无铅的（符合ROHS &索尼
    259规格） 。
    特点
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    = 40A （V
    GS
    = 10V)
    R
    DS （ ON）
    < 7.2mΩ
    (V
    GS
    = 10V)
    R
    DS （ ON）
    < 10.5mΩ （V
    GS
    = 4.5V)
    UIS测试！
    RG ，西塞，科斯，测试的Crss
    D
    TO- 252 D-白
    顶视图
    漏极连接到
    TAB
    G
    S
    SRFET
    TM
    软恢复
    MOSFET ：
    集成肖特基二极管
    G
    D
    S
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    符号
    V
    DS
    漏源电压
    V
    GS
    栅源电压
    连续漏极
    当前
    B
    漏电流脉冲
    C
    连续漏极
    当前
    A
    雪崩电流
    C
    重复雪崩能量L = 0.3mH
    T
    C
    =25°C
    功耗
    功耗
    B
    C
    最大
    30
    ±20
    40
    40
    180
    22
    18
    25
    94
    63
    31
    6
    4
    -55至175
    单位
    V
    V
    A
    T
    C
    =25°C
    G
    T
    C
    =100°C
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    I
    帝斯曼
    I
    AR
    E
    AR
    P
    D
    P
    帝斯曼
    T
    J
    , T
    英镑
    G
    I
    D
    I
    DM
    A
    A
    mJ
    W
    W
    °C
    T
    C
    =100°C
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    A
    结温和存储温度范围
    热特性
    参数
    最大结点到环境
    A
    A
    最大结点到环境
    D
    最大结到外壳
    符号
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    R
    θJA
    R
    θJC
    典型值
    15
    41
    2
    最大
    20
    50
    2.4
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司
    www.aosmd.com

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