AOD4120 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOD4120
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 128 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOD4120

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AOD4120采用先进的沟槽技术和

设计，提供优秀的研发

DS （ ON）

低门

费。此装置适用于在PWM时，负载的使用

开关和一般用途的应用。标准

产品

AOD4120是无铅的（符合ROHS &索尼

259规格）。 AOD4120L是一种绿色产品

订购选项。 AOD4120和AOD4120L是

电相同。

TO-252

D- PAK

特点

1.4

(V) = 20V

= 25A （V

= 10V)

DS （ ON）

<18毫欧（V

= 10V)

DS （ ON）

<25毫欧（V

= 4.5V)

DS （ ON）

<75毫欧（V

= 2.5V)

193

UIS测试

RG ，西塞，科斯，测试的Crss

顶视图

漏极连接到

TAB

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

最大

±16

16.7

2.5

1.7

-55至175

单位

°C

=25°C

=100°C

帝斯曼

, T

英镑

重复雪崩能量L = 0.3mH

=25°C

功耗

=100°C

=25°C

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

3.6

最大

4.5

单位

° C / W

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