AOD413 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOD413
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 119 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOD413

P沟道增强型场效应晶体管

概述

本AOD413采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和低

栅极电阻。具有优异的耐热性

的DPAK封装的，该装置很适合于

高电流负载的应用。

标准产品

AOD413是Pb-free （符合ROHS &索尼259

规范）。 AOD413L是一种绿色产品

订购选项。 AOD413和AOD413L是

电相同。

TO-252

D- PAK

特点

(V) = -40V

= -12A （V

= -10V)

DS （ ON）

< 45mΩ （V

= -10V)

DS （ ON）

< 69mΩ （V

= -4.5V)

顶视图

漏极连接到

TAB

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

B，G

漏电流脉冲

雪崩电流

重复雪崩能量L = 0.1mH

=25°C

功耗

最大

-40

±20

-12

-30

-12

2.5

1.6

-55至175

单位

°C

=25°C

=100°C

帝斯曼

, T

英镑

=100°C

=25°C

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

16.7

2.5

最大

单位

° C / W

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