AOD413A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOD413A
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 157 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOD413A

P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AOD413A采用先进的沟槽技术和

设计，提供优秀的研发

DS （ ON）

低门

费。用的优异的耐热性

DPAK封装，该装置很适合于高

电流负载的应用。

-RoHS标准

卤素免费*

TO-252

D- PAK

特点

(V) = -40V

= -10V)

= -12A

DS （ ON）

< 44mΩ （V

= -10V)

DS （ ON）

< 66mΩ （V

= -4.5V)

100 ％ UIS测试！

100 ％通过Rg测试！

顶视图

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

B，H

漏电流脉冲

雪崩电流

重复雪崩能量L = 0.1mH

=25°

功耗

=100°

=25°

=70°

结温和存储温度范围

热特性

参数

A，G

最大结点到环境

A，G

最大结点到环境

最大结到外壳

最大

-40

±20

-12

-9

-30

-20

2.5

1.6

-55至175

单位

=25°

=100°

帝斯曼

, T

英镑

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

16.7

最大

单位

C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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