AOD421 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOD421
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内容描述：	P沟道增强型场效应Transisto [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transisto]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 118 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOD421

P沟道增强型场效应晶体管

概述

本AOD421采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压低至2.5V 。这

装置适用于负载开关。这是ESD

受保护的。

标准产品AOD421是Pb-free

（符合ROHS &索尼259规格）。 AOD421L

是一种绿色产品订购选项。 AOD421和

AOD421L是电相同。

TO-252

D- PAK

特点

(V) = -20V

= -12.5 A（V

= -10V)

DS （ ON）

< 75mΩ （V

= -10V)

DS （ ON）

< 95mΩ （V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 145mΩ （V

= -2.5V)

ESD额定值： 2000V HBM

顶视图

漏极连接

为制表

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

-20

±12

-12.5

-8.9

-30

18.8

9.4

1.33

-55至175

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=100°C

=25°C

帝斯曼

, T

英镑

°C

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

最大

单位

° C / W

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