AOD434L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOD434L
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 117 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOD434

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

本AOD434采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压可低至1.8V ，而

保留了12V V

GS （ MAX）

投资评级。这是ESD保护

一个2KV HBM等级。

标准产品AOD434是有铅

免费（符合ROHS &索尼259规格）。

AOD434L是一种绿色产品订购选项。

AOD434和AOD434L是电相同。

特点

(V) = 20V

= 18A （V

= 10V)

DS （ ON）

< 14mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 16mΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 21mΩ （V

= 2.5V)

DS （ ON）

30mΩ到< （V

= 1.8V)

ESD额定值： 2KV HBM

TO-252

D- PAK

顶视图

漏极连接到

TAB

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

最大

±12

2.5

1.6

-55至175

单位

°C

=25°C

=100°C

帝斯曼

, T

英镑

=25°C

重复雪崩能量L = 0.1mH

功耗

=100°C

=25°C

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

16.7

1.9

最大

2.5

单位

° C / W

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