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AOD452A图片预览
型号: AOD452A
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内容描述: N沟道SDMOSTM功率晶体管 [N-Channel SDMOSTM POWER Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 7 页 / 195 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOD452A
TM
N沟道SDMOS功率晶体管
概述
该AOD452A / L被制造为SDMOS
TM
TRENCH
技术,结合优秀的研发
DS ( ON)
与低
门charge.The结果是出色的效率
控制的开关行为。这种通用技术
非常适用于PWM ,负载开关和一般
各种类型的应用。 AOD452A和AOD452AL是
电相同。
-RoHS标准
-AOD452AL是无卤
TO-252
D- PAK
特点
V
DS
(V) = 25V
I
D
= 55A
R
DS ( ON)
< 8mΩ
R
DS ( ON)
<14mΩ
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 4.5V)
100 % UIS测试!
100% R
g
测试了!
顶视图
D
底部视图
D
S
G
S
G
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
C
最大
25
±20
55
43
120
120
35
31
50
25
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
SM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=25°C
A
脉冲正向二极管电流
重复雪崩能量L = 50μH
功耗
功耗
B
mJ
W
W
°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结到外壳
B
最大结对TAB
B
符号
A
A
t
10s
稳态
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
R
θJC -TAB
典型值
14.2
39
2.5
2.7
最大
20
50
3
3.2
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
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