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AOD458图片预览
型号: AOD458
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 122 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOD458
典型的电气和热特性
100
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0.0001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
0.001
T
A
=25°C
功耗( W)
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图13 :功率降容(注二)
4.63
494
692
593
830
100
80
额定电流我
D
(A)
功率(W)的
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图14 :电流降评级(注二)
50
40
30
20
10
0
0.01
193
18
T
A
=25°C
Tj=150°C
0.1
1
59
142
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图15 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注高)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=55°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
0.01
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
0.001
0.00001
T
100
1000
10
脉冲宽度(S )
图16 :归最大瞬态热阻抗(注高)
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