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AOD464图片预览
型号: AOD464
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 129 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOD464
典型的电气和热特性
3
10
V
DS
=50V
I
D
=20A
电容( NF)
2
8
V
GS
(伏)
C
国际空间站
6
4
1
C
OSS
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
1000
T
J(下最大)
= 175 ° C,T
A
=25°C
0
0
40
60
80
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
20
100
300
T
J(下最大)
=175°C
T
A
=25°C
100
I
D
(安培)
10
DC
100µs
1毫秒, DC
功率(W)的
R
DS ( ON)
有限
10µs
200
100
1
0.1
0.1
10
100
1000
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全工作
面积(注F)
1
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
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