AOD494 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOD494
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 133 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOD494

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

本AOD494采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极charge.This设备

是适合用作在SMPS和一个高侧开关

一般用途的应用。

标准产品

AOD494是Pb-free （符合ROHS &索尼259

规范）。 AOD494L是一种绿色产品订购

选项。 AOD494和AOD494L电

相同的。

特点

(V) = 30V

= 55A （V

= 10V)

DS （ ON）

<11mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 13.5mΩ （V

= 4.5V)

TO-252

D- PAK

顶视图

漏极连接到

TAB

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

漏源电压

栅源电压

=25°C

连续漏极

当前

=100°C

漏电流脉冲

雪崩电流

最大

±12

120

135

2.6

-55至175

单位

°C

帝斯曼

, T

英镑

重复雪崩能量L = 0.3mH

=25°C

功耗

=100°C

=25°C

功耗

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A，D

最大结点到环境

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

最大

2.4

单位

° C / W

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