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AOD604L 参数 Datasheet PDF下载

AOD604L图片预览
型号: AOD604L
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 168 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOD604
互补增强型场效应晶体管
概述
本AOD604采用先进的沟槽
技术MOSFET,以提供出色的
R
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET ,可以使用
在H桥,逆变器等
应用程序。
标准产品AOD604是有铅
免费(符合ROHS &索尼259规格) 。
AOD604L是一种绿色产品订购选项。
AOD604和AOD604L电
相同的。
TO-252
D- PAK
特点
N沟道
P沟道
-40V
V
DS
(V) = 40V
I
D
= 8A (V
GS
=10V)
-8A (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
< 33毫欧(V
GS
=10V)
< 50米
(V
GS
= -10V)
< 70米
(V
GS
= -4.5V)
< 47毫欧(V
GS
=4.5V)
D2
D1
顶视图
漏极连接到
TAB
G2
S2
G1
S1
N沟道
S1 G1的D1 / D2 G2 S2中
P沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
40
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大的p沟道
-40
±20
8
8
-30
-8
30
50
25
2.5
1.6
-55至175
典型值
17.4
50
4
16.7
40
2.5
最大
30
60
7.5
25
50
3
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
C
=25°C
8
8
30
8
20
20
10
2
1.3
-55至175
符号
R
θJA
R
θJC
R
θJA
R
θJC
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
重复雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
T
J
, T
英镑
结温和存储温度范围
热特性: n沟道和p沟道
参数
t
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
稳态
最大结到外壳
B
A
t
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
稳态
最大结到外壳
B
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
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