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AOD608图片预览
型号: AOD608
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 213 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOD608
互补增强型场效应晶体管
概述
本AOD608采用先进的沟槽
技术MOSFET,以提供
优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。
互补MOSFET的可能
在H桥,逆变器和其他用于
应用程序。
标准产品AOD608是
无铅(符合ROHS &索尼259
特定网络阳离子) 。
特点
N沟道
P沟道
V
DS
(V) = 40V
-40V
-10A (V
GS
= -10V)
I
D
= 10A (V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
< 39毫欧(V
GS
=10V)
< 51米
(V
GS
= -10V)
< 50毫欧(V
GS
=4.5V)
< 75米
(V
GS
= -4.5V)
ESD等级: 3000V ( HBM )
TO-252-4L
D- PAK
D1/D2
D1
D2
顶视图
漏极连接
为制表
G1
G2
S1
S2
N沟道
S1 G1
S2 G2
P沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
40
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
G
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大的p沟道
-40
±20
-10
-10
-30
-15
33
50
25
2.5
1.6
-55至175
典型值
19
50
4
19
50
2.5
最大
23
60
7.5
23
60
3
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
C
=25°C
10
10
30
12
21
20
10
2
1.3
-55至175
符号
R
θJA
R
θJC
R
θJA
R
θJC
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
重复雪崩能量L = 0.3mH
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
T
J
, T
英镑
结温和存储温度范围
热特性: n沟道和p沟道
参数
t
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
B
稳态
最大结到外壳
A
t
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
B
稳态
最大结到外壳
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
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