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AOL1440图片预览
型号: AOL1440
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 124 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOL1440
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AOL1440采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,直通免疫力
与体二极管的特性。此装置是理想
适合用作在CPU核心的低侧开关
功率转换。
标准产品AOL1440是
无铅(符合ROHS &索尼259规格) 。
AOL1440L是一种绿色产品订购选项。
AOL1440和AOL1440L是电相同。
特点
特点
V
DS
(V) = 25V
V
DS
(V) = 25V
II
D
= 75A (V
GS
= 10V)
D
= 75A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 3.2mΩ (V
GS
= 20V)
R
DS ( ON)
< 3.2mΩ (V
GS
= 20V)
R
DS ( ON)
< 4.0mW时(V
GS
10V)
R
DS ( ON)
< 4.0mΩ (V
GS
==12V)
R
DS ( ON)
< 5.2mW (V
GS
12V)
R
DS ( ON)
< 5.2mΩ (V
GS
==10V)
UIS测试
UIS测试
RG ,西塞,科斯,测试的Crss
RG ,西塞,科斯,测试的Crss
SO-8
TM
顶视图
D
适合SOIC8
足迹!
D
S
底部标签
连接到
G
G
S
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
符号
最大
漏源电压
25
V
DS
±30
栅源电压
V
GS
连续漏极
当前
B,G ,
漏电流脉冲
连续漏极
G
当前
雪崩电流
C
C
单位
V
V
A
T
C
=25°C
G
B
85
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AR
66
200
25
20
30
135
75
37
5
3
-55至175
符号
R
θJA
R
θJC
典型值
19
45
1.5
最大
25
55
2
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
A
mJ
W
W
°C
单位
° C / W
° C / W
° C / W
重复雪崩能量L = 0.3mH
E
AR
T
C
=25°C
P
D
B
功耗
T
C
=100°C
T
A
=25°C
P
帝斯曼
A
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围T
J
, T
英镑
热特性
参数
t
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结到外壳
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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