AON3806 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AON3806
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内容描述：	常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 130 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AON3806

常见的漏双N沟道增强型场

场效应晶体管

概述

该AON3806采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压可低至1.8V ，而

保留了12V V

GS （ MAX）

投资评级。这是ESD保护。

此装置适合于用作单向或

双向负荷开关，通过它的共促进

漏配置。

标准产品AON3806is有铅

免费（符合ROHS &索尼259规格）。

AON3806L是一种绿色产品订购选项。

AON3806和AON3806L是电相同。

特点

(V) = 20V

= 7.3 （V

= 10V)

DS （ ON）

< 26mΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 27mΩ （V

= 4V)

DS （ ON）

< 32mΩ （V

= 2.5V)

ESD额定值： 2500V HBM

3×3 DFN

顶视图

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

=25°C

功耗

最大

±12

7.3

5.8

2.2

1.4

-55到150

单位

=25°C

=70°C

, T

英镑

=70°C

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

110

单位

° C / W

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