欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AON4420L 参数 Datasheet PDF下载

AON4420L图片预览
型号: AON4420L
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 148 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号AON4420L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AON4420L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AON4420L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AON4420L的Datasheet PDF文件第5页  
AON4420L
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AON4420L结合了先进的沟槽MOSFET
技术的小体积封装,以提供低
R
DS ( ON)
每单位面积上。该器件非常适用于负荷开关
和高速开关应用。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 10A
R
DS ( ON)
< 19MΩ
R
DS ( ON)
< 25MΩ
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 4.5V)
- 符合RoHS标准
- 无卤素
为3x2 DFN
顶视图
销1
底部视图
D
D
D
G
D
D
D
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
漏电流脉冲
连续漏极
当前
A
功耗
A
C
最大
30
±20
50
10
8
1.6
1
-55到150
单位
V
V
I
DM
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
B
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
34
66
20
最大
40
80
25
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com