AON4803 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AON4803
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内容描述：	双P沟道增强型场效应晶体管 [Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 133 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AON4803

双

P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AON4803采用先进沟道技术

提供优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压可低至1.8V 。这

装置适合于用作负载开关或在

PWM应用。

标准产品AON4803

是无铅的（符合ROHS &索尼259

特定网络阳离子）。

特点

(V) = -20V

= -3.4A

= -4.5V)

DS （ ON）

< 90mΩ （V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 120MΩ （V

= -2.5V)

DS （ ON）

< 165mΩ （V

= -1.8V)

DFN3X2-8L

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

=25°C

连续漏电流

漏电流脉冲

功耗

结温和存储温度范围

参数：热特性MOSFET

≤

10s

最大结点到环境

稳态

最大结点到环境

稳态

最大结对铅

MOSFET

-20

±8

-3.4

-2.7

-15

1.7

1.1

-55到150

典型值

最大

110

单位

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

符号

θJA

θJL

°C

单位

° C / W

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