AON5800 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AON5800
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内容描述：	常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 132 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AON5800

常见的漏双N沟道增强型场

场效应晶体管

概述

该AON5800采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压可低至1.8V ，而

保留了12V V

GS （ MAX）

投资评级。这是ESD保护。

此装置适合于用作单向或

双向负荷开关，通过它的共促进

漏配置。

标准产品AON5800是有铅

免费（符合ROHS &索尼259规格）。

AON5800L是一种绿色产品订购选项。

AON5800和AON5800L是电相同。

特点

(V) = 20V

= 8 A（V

= 10V)

DS （ ON）

< 16毫欧（V

= 10V)

DS （ ON）

< 20毫欧（V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 21毫欧（V

= 4.0V)

DS （ ON）

< 22毫欧（V

= 3.1V)

DS （ ON）

< 27毫欧（V

= 2.5V)

DS （ ON）

< 45毫欧（V

= 1.8V)

ESD额定值： 2000V HBM

顶视图

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

漏源电压

栅源电压

=25°C

连续漏极

当前ř

θJA

= 75 ° C / W Ť

=70°C

漏电流脉冲

=25°C

功耗

θJA

=75°C/W

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

最大

±12

6.3

1.6

1.0

-55到150

单位

帝斯曼

, T

英镑

°C

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

4.5

最大

单位

° C / W

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