AON5802 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AON5802
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内容描述：	常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 199 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AON5802

常见的漏双N沟道增强型场效应

晶体管

概述

该AON5800采用先进的沟槽技术，提供

优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和操作门

电压可低至2.5V ，同时保留了12V V

GS （ MAX）

投资评级。这是

ESD保护。这个装置是适合于用作单向

或双向负荷开关，促进了它的共漏极

配置。

标准产品AON5802是无铅的（符合

ROHS &索尼259规格）。 AON5802L是一种绿色产品

订购选项。 AON5802和AON5802L电

相同的。

特点

(V) = 30V

= 8 A（V

= 10V)

DS （ ON）

< 17毫欧（V

= 10V)

DS （ ON）

< 20毫欧（V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 22毫欧（V

= 4.0V)

DS （ ON）

< 24毫欧（V

= 3.1V)

DS （ ON）

< 30毫欧（V

= 2.5V)

ESD额定值： 2000V HBM

顶视图

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

=25°C

连续漏极

当前ř

θJA

= 75 ° C / W Ť

=70°C

漏电流脉冲

功耗

θJA

=75°C/W

最大

±12

1.7

1.0

-55到150

单位

帝斯曼

, T

英镑

=25°C

=70°C

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

4.5

最大

单位

° C / W

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