AON6426L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AON6426L
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 139 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AON6426L

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AON6426L结合了先进的沟槽MOSFET

技术具有低电阻包提供

非常低R

DS （ ON）

。该器件非常适用于负载

开关和电池保护的应用程序。

特点

(V) = 30V

= 24A

DS （ ON）

< 5.5mΩ

DS （ ON）

< 7.5mΩ

= 10V)

= 4.5V)

- 符合RoHS标准

- 无卤素

100 ％ UIS测试！

100% R

测试了！

顶视图

适合SOIC8

足迹！

DFN5X6

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

连续漏极

当前

雪崩电流

重复雪崩能量L = 0.1mH

=25°

功耗

最大

±20

130

1.2

-55到150

单位

=25°

=100°

=25°

=70°

帝斯曼

, T

英镑

=100°

=25°

=70°

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A D

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

2.6

最大

单位

C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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