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AON6450L 参数 Datasheet PDF下载

AON6450L图片预览
型号: AON6450L
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内容描述: N沟道SDMOS TM功率晶体管 [N-Channel SDMOS TM Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 275 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AON6450L
N沟道SDMOS
TM
功率晶体管
概述
该AON6450L是用纤维制作SDMOS
TM
TRENCH
技术,结合优秀的研发
DS ( ON)
低门
charge.The结果是出色的效率与可控
切换行为。这种普遍的技术非常适合
对于PWM ,负荷开关和一般用途的应用。
产品概述
参数
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= 7V)
100V
52A
< 14.5mΩ
< 17.5mΩ
- 符合RoHS标准
- 无卤素
100 % UIS测试!
100% R
g
测试了!
D
顶视图
适合SOIC8
足迹!
G
S
DFN5X6
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
C
C
最大
100
±25
52
33
110
9
7
41
84
83
33
2.3
1.4
-55到150
单位
V
V
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
AD
最大结点到环境
最大结到外壳
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
14
40
1
最大
17
55
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
冯0 : 2009年1月
www.aosmd.com
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