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AON6718L 参数 Datasheet PDF下载

AON6718L图片预览
型号: AON6718L
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 159 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AON6718L
N沟道增强型网络场效晶体管
SRFET
TM
概述
SRFET
TM
AON6718L采用先进沟道技术
用单片集成肖特基二极管,以提供
优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。该装置是
非常适合于用作在CPU核心的低侧开关
功率转换。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 80A
R
DS ( ON)
< 3.7mΩ
R
DS ( ON)
< 5mΩ的
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 4.5V)
- 符合RoHS标准
- 无卤素
100 % UIS测试!
100% R
g
测试了!
适合SOIC8
足迹!
S
S
S
G
D
顶视图
D
D
D
D
G
S
SRFET
TM
软恢复
MOSFET :
集成肖特基二极管
DFN5X6
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
C
C
最大
30
±20
80
63
210
19
15
40
80
83
33
2.5
1.6
-55到150
单位
V
V
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
14.2
42
1.2
最大
17
60
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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