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AON7400 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AON7400
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 156 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AON7400
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AON7400采用先进的沟槽技术和
设计,提供优秀的研发
DS ( ON)
低门
费。此装置适用于在SMPS和使用
一般用途的应用。
标准产品
AON7400是无铅的(符合ROHS &索尼259
特定网络阳离子) 。
特点
V
DS
(V) = 30V
(V
GS
= 10V)
I
D
= 10A
R
DS ( ON)
< 12.5mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 14.5mΩ (V
GS
= 4.5V)
3×3 DFN
顶视图
底部视图
D
销1
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
B,H
漏电流脉冲
连续漏极
当前
G
功耗
功耗
B
最大
30
±12
20
16
80
10
9
35
14
3.1
2
-55到150
单位
V
V
T
C
=25°C
T
C
=100°C
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
W
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
D
°C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
30
60
3
最大
40
75
3.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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