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    AON7430L 参数 Datasheet PDF下载

    AON7430L图片预览
    型号： AON7430L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 146 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AON7430L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AON7430L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AON7430L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AON7430L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AON7430L的Datasheet PDF文件第6页  
    AON7430L
    N沟道增强型网络场效晶体管
    概述
    该AON7430L采用先进的沟槽技术
    提供了优秀的研发
    DS （ ON）
    低栅极电荷。
    此装置适用于在SMPS和高侧开关
    一般用途的应用。
    特点
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    = 20A
    R
    DS （ ON）
    < 12mΩ
    R
    DS （ ON）
    < 16mΩ
    (V
    GS
    = 10V)
    (V
    GS
    = 10V)
    (V
    GS
    = 4.5V)
    - 符合RoHS标准
    - 无卤素
    100 ％ UIS测试！
    100% R
    g
    测试了！
    3×3 DFN
    顶视图
    底部视图
    D
    顶视图
    S
    S
    S
    G
    D
    D
    D
    D
    销1
    G
    S
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    符号
    V
    DS
    漏源电压
    V
    GS
    栅源电压
    连续漏极
    当前
    G
    漏电流脉冲
    连续漏极
    当前
    A
    雪崩电流
    C
    重复雪崩能量L = 0.1mH
    T
    C
    =25°C
    功耗
    功耗
    B
    C
    最大
    30
    ±20
    20
    16
    80
    9
    7
    22
    24
    25
    10
    1.7
    1
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    T
    C
    =25°C
    T
    C
    =100°C
    C
    I
    D
    I
    DM
    I
    帝斯曼
    I
    AR
    E
    AR
    P
    D
    P
    帝斯曼
    T
    J
    , T
    英镑
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    A
    A
    mJ
    W
    W
    °C
    T
    C
    =100°C
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    A
    结温和存储温度范围
    热特性
    参数
    最大结点到环境
    A
    最大结点到环境
    A
    最大结到外壳
    B
    符号
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    R
    θJA
    R
    θJC
    典型值
    30
    60
    4
    最大
    40
    75
    5
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司
    www.aosmd.com

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