欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AON7702L 参数 Datasheet PDF下载

AON7702L图片预览
型号: AON7702L
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 209 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号AON7702L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AON7702L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AON7702L的Datasheet PDF文件第4页  
SRFET
AON7702
N沟道增强型网络场效晶体管
TM
概述
SRFET
TM
AON7702 / L采用了先进的沟槽技术
用单片集成肖特基二极管,以提供
优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。
此装置适合于用作低侧FET在SMPS中
负荷开关和一般用途的应用。
- 符合RoHS标准。
- 无卤素
3×3 DFN
顶视图
底部视图
特点
V
DS
(V) = 30V
(V
GS
= 10V)
I
D
= 13.5A
R
DS ( ON)
<为10mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 14mΩ (V
GS
= 4.5V)
D
销1
S
S
S
G
D
D
G
D
D
S
SRFET
TM
软恢复
MOSFET :
集成肖特基二极管
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
B,G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
B
功耗
功耗
B
C
最大
30
±20
20
20
80
13.5
10
35
14
3.1
2
-55到150
单位
V
V
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
I
D
I
DM
I
帝斯曼
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
W
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
D
°C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
30
60
3.1
最大
40
75
3.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com