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    AOP600 参数 Datasheet PDF下载

    AOP600图片预览
    型号： AOP600
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 148 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AOP600的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AOP600的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AOP600的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AOP600的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AOP600的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AOP600的Datasheet PDF文件第7页  
    AOP600
    互补增强型场效应晶体管
    概述
    该AOP600采用先进的沟槽技术
    提供了优秀的研发
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。该
    互补的MOSFET组成一个高速动力
    逆变器，适合于多种应用。
    标准产品AOP600是无铅的（符合ROHS
    &索尼259规格） 。 AOP600L是绿色
    产品订购选项。 AOP600和AOP600L是
    电相同。
    特点
    N沟道
    P沟道
    -30V
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    = 7.5A （V
    GS
    = 10V ） -6.6A
    R
    DS （ ON）
    < 28mΩ
    < 35mΩ （V
    GS
    =
    -10V)
    < 43mΩ
    < 58mΩ （V
    GS
    =- 4.5V)
    D2
    S2
    G2
    S1
    G1
    1
    2
    3
    4
    8
    7
    6
    5
    D2
    D2
    D1
    D1
    D1
    G2
    S2
    G1
    S1
    PDIP-8
    N沟道
    P沟道
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    最大的n沟道
    符号
    V
    DS
    漏源电压
    30
    V
    GS
    栅源电压
    ±20
    连续漏极
    当前
    A
    漏电流脉冲
    功耗
    B
    最大的p沟道
    -30
    ±20
    -6.6
    -5.3
    -30
    2.5
    1.6
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    7.5
    6
    30
    2.5
    1.6
    -55到150
    W
    °C
    结温和存储温度范围
    热特性： N沟道
    参数
    最大结点到环境
    A
    最大结点到环境
    A
    最大结对铅
    C
    热特性： P沟道
    参数
    最大结点到环境
    A
    最大结点到环境
    A
    最大结对铅
    C
    符号
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    R
    θJA
    R
    θJL
    符号
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    R
    θJA
    R
    θJL
    典型值
    40
    67
    33
    典型值
    38
    66
    30
    最大
    50
    80
    40
    最大
    50
    80
    40
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
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