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AOP609 参数 Datasheet PDF下载

AOP609图片预览
型号: AOP609
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 152 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOP609
互补增强型场效应晶体管
概述
该AOP609采用先进沟道技术
MOSFET,以提供优秀的研发
DS ( ON)
栅极电荷。互补的MOSFET
可以以H桥,逆变器和其他用于
应用程序。
标准产品AOP609是有铅
免费(符合ROHS &索尼259规格) 。
AOP609L是一种绿色产品订购选项。
AOP609和AOP609L是电相同。
特点
N沟道
P沟道
-60V
V
DS
(V) = 60V
I
D
= 4.7A (V
GS
=10V)
-3.5A (V
GS
=-10V)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
<的60mΩ (V
GS
=10V)
< 115mΩ (V
GS
=-10V)
< 75mΩ (V
GS
=4.5V)
< 140mΩ (V
GS
=-4.5V)
ESD额定值: 1500V HBM
3000V HMB
D2
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D1
G2
S2
G1
S1
PDIP-8
N沟道
P沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
60
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
B
最大的p沟道
-60
±20
-3.5
-2.9
-20
2.5
1.6
-55到150
典型值
37
74
28
35
73
32
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
±20
4.7
3.8
20
2.5
1.6
-55到150
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
W
°C
T
J
, T
英镑
结温和存储温度范围
热特性: n沟道和p沟道
参数
t
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
A
t
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
最大单位
50 ° C / W
90 ° C / W
40 ºC / W
50
90
40
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司