AOT3N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOT3N60
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内容描述：	2.5A ， 600V N沟道MOSFET [2.5A, 600V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 165 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOT3N60

2.5A ， 600V N沟道MOSFET

原工程零件号AOT9602

概述

该AOT3N60一直使用的制造

先进的高电压MOSFET的过程，是

旨在提供高水平的性能和

鲁棒性流行AC- DC应用。

通过提供低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

随着

雪崩能力保证这些部件可以

通过迅速进入新的和现有的离线功率

电源设计。

特点

（ V）= 700V @ 150℃

= 2.5A

DS （ ON）

＆ LT ; 3.5

Ω

= 10V)

100 ％ UIS测试！

100% R

测试了！

国际空间站

OSS

, C

RSS

测试了！

顶视图

TO-220

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

最大

参数

符号

漏源电压

600

栅源电压

±30

连续漏极

=25°C

2.5

当前

=100°C

1.6

漏电流脉冲

雪崩电流

单位

V / ns的

W / C

°C

dv / dt的

, T

英镑

符号

θJA

θCS

θJC

典型

1.2

120

59.5

0.48

-50-150

300

最大

0.5

2.1

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

=25°C

功耗

减免上述25

结温和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

参数

最大结点到环境

最大外壳到散热器

最大结到外壳

D，F

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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