AOT4N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOT4N60
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内容描述：	600V ， 4A N沟道MOSFET [600V, 4A N-Channel MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 154 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOT4N60/AOTF4N60

600V ， 4A N沟道MOSFET

概述

该AOT4N60 & AOTF4N60已制作

采用先进的高电压MOSFET过程

旨在提供高水平的性能和

鲁棒性流行AC- DC应用。

通过提供低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

随着

雪崩能力保证这些部件可以

通过迅速进入新的和现有的离线功率

电源设计。

特点

（ V）= 700V @ 150℃

= 4A

DS （ ON）

< 2.2Ω

= 10V)

100 ％ UIS测试！

100% R

测试了！

TO-220

顶视图

TO-220F

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

AOT4N60

符号

AOTF4N60

漏源电压

600

±30

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

C，G

单位

V / ns的

°C

=25°C

=100°C

dv / dt的

, T

英镑

符号

θJA

2.5

188

104

0.83

-50-150

300

AOT4N60

0.5

1.2

2.5*

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

=25°C

功耗

减免上述25

结温和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

参数

最大结点到环境

A，D

0.28

AOTF4N60

3.6

单位

° C / W

θCS

最大外壳到散热器

θJC

最大结到外壳

*漏电流受最高结温。

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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