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AOT5N50 参数 Datasheet PDF下载

AOT5N50图片预览
型号: AOT5N50
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内容描述: 500V , 5A N沟道MOSFET [500V, 5A N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 148 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOT5N50/AOTF5N50
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/∆T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V ,T
J
=25°C
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V ,T
J
=150°C
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
= 400V ,T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250µA
V
GS
= 10V ,我
D
=2.5A
V
DS
= 40V ,我
D
=2.5A
3.5
4.1
1.1
6
0.75
1
5
18
414
V
GS
=0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
46
3.9
1.9
517
57
4.9
3.8
15.5
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ,我
D
=5A
3.4
7.2
14.5
V
GS
=10V, V
DS
= 250V ,我
D
=5A,
R
G
=25Ω
I
F
=5A,dI/dt=100A/µs,V
DS
=100V
29
34.5
24
166
1.37
620
68
5.9
5.7
19.0
4.0
8.6
17.4
35.0
41.4
29.0
199
1.6
500
600
0.55
1
10
±100
4.7
1.5
典型值
最大
单位
V
V
o
V / C
µA
nA
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
µC
二极管的正向电压
I
S
= 1A ,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
最大体二极管脉冲电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=5A,dI/dt=100A/µs,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用结到外壳的热阻,并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
= 150 ° C,额定值基于低频和占空比,以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设
T的最高结温
J(下最大)
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G. L = 60mH ,我
AS
= 2.6A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
=25°C
转2008年12月3日
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
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OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
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