AOTF10N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOTF10N60
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内容描述：	600V ， 10A的N沟道MOSFET [600V, 10A N-Channel MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 183 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOT10N60 / AOTF10N60

600V ， 10A的N沟道MOSFET

原工程零件号AOT9608 / AOTF9608

概述

该AOT10N60 & AOTF10N60已制作

采用先进的高电压MOSFET工艺

这是旨在提供高水平的性能

和鲁棒性流行AC- DC应用。

通过提供低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

随着

雪崩能力保证这些部件可以

通过迅速进入新的和现有的离线功率

电源设计。

特点

（ V）= 700V @ 150℃

= 10A

DS （ ON）

< 0.75

Ω

= 10V)

100 ％ UIS测试！

100% R

测试了！

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

测试了！

TO-220

顶视图

TO-220F

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

AOT10N60

参数

符号

AOTF10N60

漏源电压

600

±30

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

单位

V / ns的

°C

=25°C

=100°C

dv / dt的

, T

英镑

6.4

4.4

290

580

208

1.7

-50-150

300

AOT10N60

0.5

0.6

10*

6.4*

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

=25°C

功耗

减免上述25

结温和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

参数

0.4

符号

θJA

最大结点到环境

θCS

最大外壳到散热器

D，F

θJC

最大结到外壳

*漏电流受最高结温。

AOTF10N60

2.5

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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