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    AOTF470 参数 Datasheet PDF下载

    AOTF470图片预览
    型号： AOTF470
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    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 76 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AOTF470的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AOTF470的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AOTF470的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AOTF470的Datasheet PDF文件第5页  
    AOTF470
    N沟道增强型网络场效晶体管
    概述
    该AOTF470采用先进的沟槽技术和
    设计，提供优秀的研发
    DS （ ON）
    低门
    费。此装置适用于在PWM时，负载的使用
    开关和一般用途的应用。
    -RoHS标准
    特点
    V
    DS
    (V) = 75V
    I
    D
    = 50 A
    (V
    GS
    = 10V)
    R
    DS （ ON）
    < 11.5mΩ （V
    GS
    = 10V)
    D
    摹ð S
    AOTF470
    TO-220F
    G
    S
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    符号
    V
    DS
    漏源电压
    V
    GS
    栅源电压
    连续漏极
    当前
    漏电流脉冲
    雪崩电流
    C
    C
    C
    AOTF470
    75
    ±25
    50
    36
    200
    45
    300
    54
    27
    -55至175
    单位
    V
    V
    A
    A
    mJ
    W
    °C
    T
    C
    =25°C
    T
    C
    =100°C
    I
    D
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    重复雪崩能量L = 0.3mH
    B
    T
    C
    =25°C
    功耗
    TC=100°C
    结温和存储温度范围
    热特性
    参数
    最大结点到环境
    A
    最大结到外壳
    B
    符号
    R
    θJA
    R
    θJC
    AOTF470
    60
    2.8
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司
    www.aosmd.com

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