AOTF8N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOTF8N60
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内容描述：	600V ， 8A N沟道MOSFET [600V, 8A N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 183 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOT8N60 / AOTF8N60

600V ， 8A N沟道MOSFET

原工程零件号AOT9606 / AOTF9606

概述

该AOT8N60 & AOTF8N60已制作

采用先进的高电压MOSFET工艺

这是旨在提供高水平的性能

和鲁棒性流行AC- DC应用。

通过提供低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

随着

雪崩能力保证这些部件可以

通过迅速进入新的和现有的离线功率

电源设计。

特点

（ V）= 700V @ 150℃

= 8A

DS （ ON）

< 0.9

Ω

= 10V)

100 ％ UIS测试！

100% R

测试了！

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

测试了！

TO-220

顶视图

TO-220F

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

AOT8N60

参数

符号

AOTF8N60

漏源电压

600

栅源电压

±30

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

单位

V / ns的

W / C

°C

=25°C

=100°C

dv / dt的

, T

英镑

符号

θJA

θCS

3.2

150

300

147

1.17

-50-150

300

AOT8N60

0.5

0.85

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

=25°C

功耗

减免上述25℃

结温和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

参数

最大结点到环境

0.4

AOTF8N60

2.5

单位

° C / W

最大外壳到散热器

D，F

θJC

最大结到外壳

*漏电流受最高结温。

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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