AOU417 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOU417
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 162 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOU417

P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AOU417采用先进的沟槽技术

提供优良的RDS（ON ）和低栅极电荷。

这个装置是适合于用作负载开关或在

PWM应用。

标准产品AOU417是有铅

免费（符合ROHS &索尼259规格）。

AOU417L是一种绿色产品订购选项。

AOU417和AOU417L是电相同

特点

(V) = -30V

= -18A （V

= -10V)

DS （ ON）

< 22MΩ （V

= -10V)

DS （ ON）

< 40MΩ （V

= -4.5V)

TO-251

顶视图

漏极连接

为制表

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

B，G

漏电流脉冲

雪崩电流

重复雪崩能量L = 0.1mH

功耗

=25°C

=100°C

最大

-30

±20

-18

-40

-18

16.2

-55至175

单位

°C

=25°C

=100°C

, T

英镑

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

稳态

符号

θJA

θJL

典型值

105

2.5

最大

125

单位

° C / W

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