AOU436 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOU436
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 72 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOU436

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AOU436采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。这

装置适合于用作负载开关或以PWM

应用程序。

标准产品AOU436是Pb-free

（符合ROHS &索尼259规格）。 AOU436L

是一种绿色产品订购选项。 AOU436和

AOU436L是电相同。

特点

(V) = 30V

= 57A （V

= 10V)

DS （ ON）

< 8.5mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 14mΩ （V

= 4.5V)

TO-251

顶视图

漏极连接

为制表

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

重复雪崩能量L = 0.1mH

功耗

最大

±20

100

143

-55至175

单位

°C

=25°C

=100°C

, T

英镑

=25°C

=100°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

稳态

符号

θJA

θJL

典型值

100

最大

125

单位

° C / W

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