阿尔法&欧米茄半导体
AOZ1360
绝对最大额定值
(1)
至GND ..........................................- 0.3V至+ 30V
EN ， SET ， OUT到GND ..............- 0.3V至V
IN
+ 0.3V
SS ， SET ................................. 。 ... ..- 0.3V至+ 6V
最大连续电流3A ............................
最高结温（T
J
)..........+150°C
ESD额定值（ HBM ） ........................................ 2.5kV的
工作额定值
热电阻（ SO - 8 ） ........................ 82 ° C / W
热电阻（ DFN4X4 ） ................... 63 ° C / W
电气特性
V
IN
= 12V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。典型值是在25℃下
参数
输入电源电压
欠压锁定
门槛
欠压锁定
迟滞
输入静态电流
输入关断电流
输出漏电流
开关导通电阻
开关导通电阻
电流限制
使能输入低电压
使能输入高电压
ENABLE输入滞后
使能输入偏置电流
导通延迟时间
EN_50 ％至OUT_10 ％
开启上升时间
OUT_10 ％至90％
关断下降时间
热关断
门槛
热关断
迟滞
符号
V
IN
V
UVLO
V
UVHYS
I
IN_ON
I
IN =关
I
泄漏
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
LIM
V
EN_H
V
EN_L
V
EN_HYS
I
EN_BIAS
Td_on
t
ON
条件
瑞星
民
5.5
典型值
4.9
400
最大
28
5.4
单位
V
V
mV
EN = IN为-00 ， EN = GND为-01 ，空载
EN = GND为-00 ， EN = IN为-01 ，空载
EN = GND为-00 ， EN = IN为-01 ，空载
AOZ1360AI V
IN
= 12V
AOZ1360AI V
IN
= 5.5V
R
SET
= 84.5kΩ （ SO8 ）
R
SET
= XXX千欧（ DFN ）
2
220
400
1
1
μA
μA
μA
mΩ
mΩ
A
V
V
mV
μA
μs
μs
μs
μs
°C
°C
22
33
2.7
35
43
3.4
0.8
2.0
100
1
R
L
=120Ω, C
L
= 1μF ， SS =抹灰
R
L
=120Ω, C
L
= 1μF ， SS =抹灰
R
L
=120Ω,
C
L
= 1μF,
C
SS
= 1nF的
R
L
=120Ω,
C
L
= 1μF,
SS =浮选
220
(2)
280
360
280
130
30
t
关闭
T
SD
T
SD_HYS
（ 1 ）强调超越的绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
（2 ）取决于离散的PMOS的栅极加载，由硅的数据进行确认。
AOZ1360初步数据表REV0
3
亚尔发和奥米加半导体机密
AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
