单节电池保护IC
集成MOSFET
AOZ9004B
概述
该AOZ9004B是电池保护IC，具有集成的双
共漏极的N沟道MOSFET 。该装置包括精确
率的电压检测器和延迟电路，并适合于亲
tecting单节锂离子/锂聚合物充电
过充，过放，过压及电池组
目前的状况。
该AOZ9004B是采用8引脚TSSOP封装，
额定温度范围为-40 ° C至+ 85 ° C的环境温度范围。
特点
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集成的共漏极N沟道MOSFET
高精度的电压检测电路
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过充电检测精度± 25mV的（ + 25 ° C） ， ± 30mV的
（ -5 ° C至+ 55 ° C）
◗
过充电解除精度± 50mV的
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过放电检测精度± 50mV的
◗
过放电释放精度± 100mV的
◗
放电过电流检测精度± 15mV的
◗
负载短路检测精度± 300mV的
（ AOZ9004BI ） ， ± 200mV的（ AOZ9004BI - 01 ， 02 ， 03 ，和04 ）
± 20％的精确的内部检测延迟时间
（不需要外接电容）
充电器的连接引脚可承受高达28V
宽工作温度范围-40 ° C至+ 85°C
低电流消耗
◗
3.0μA （典型值）的运行模式， 5.5μA （最大值） ，在
+25°C
小型8引脚TSSOP封装
应用
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锂离子可充电电池组
锂聚合物可充电电池组
典型用途
EB +
R1
220Ω
8
7
6
5
IC
单细胞
锂离子/
锂聚合物
电池
C1
0.1μF
VDD
VM
IC
R2
2kΩ
AOZ9004B
VSS
1
IC
2
IC
3
OutM中
4
EB-
图1.典型应用
修订版1.2 2008年8月
www.aosmd.com
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AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
