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    AP30G120SW 参数 Datasheet PDF下载

    AP30G120SW图片预览
    型号： AP30G120SW
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 与FRD N沟道绝缘栅双极晶体管 [N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD]
    分类和应用： 晶体晶体管栅局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 100 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AP30G120SW的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP30G120SW的Datasheet PDF文件第3页  
    AP30G120SW
    无铅电镀产品
    先进的电源
    电子股份有限公司
    特点
    ▼
    高速开关
    ▼
    低饱和电压
    V
    CE （ SAT ）
    =3.0V@I
    C
    =30A
    ▼
    CO- PAK ， IGBT
    同
    FRD
    ▼
    符合RoHS
    N沟道绝缘栅
    双极晶体管， FRD 。
    V
    CES
    I
    C
    C
    G
    C
    E
    TO-3P
    G
    E
    参数
    等级
    1200
    ±30
    60
    30
    160
    12
    75
    208
    -55到150
    -55到150
    300
    1200V
    30A
    绝对最大额定值
    符号
    V
    CES
    V
    GE
    I
    C
    @T
    C
    =25℃
    I
    C
    @T
    C
    =100℃
    I
    CM
    I
    F
    @T
    C
    =100℃
    I
    FM
    P
    D
    @T
    C
    =25℃
    T
    英镑
    T
    J
    T
    L
    栅极 - 发射极电压
    连续集电极电流
    连续集电极电流
    集电极电流脉冲
    1
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    A
    W
    ℃
    ℃
    ℃
    集电极 - 发射极电压
    二极管Continunous正向电流
    脉冲二极管正向电流
    最大功率耗散
    存储温度范围
    工作结温范围
    最大的铅温度。焊接用
    ， 8"分之1案件从5秒。
    注意事项：
    1.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最大值。结温。
    热数据
    符号
    Rthj -C （ IGBT ）
    Rthj -C （二极管）
    Rthj -A
    参数
    热阻结案件
    热阻结案件
    热阻结到环境
    价值
    0.6
    1.6
    40
    单位
    ℃/W
    ℃/W
    ℃/W
    电气特性@ T
    j
    =25
    o
    ℃（除非另有规定）
    符号
    BV
    CES
    I
    GES
    I
    CES
    V
    CE （ SAT ）
    V
    GE （日）
    Q
    g
    Q
    ge
    Q
    gc
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    E
    on
    E
    关闭
    C
    IES
    C
    OES
    C
    水库
    V
    F-1
    V
    F-2
    t
    rr
    Q
    rr
    参数
    收集到发射极击穿电压
    门极 - 发射极漏电流
    集电极 - 发射极漏电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    栅极阈值电压
    总栅极电荷
    栅极 - 射极电荷
    栅极电荷收集
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    导通开关损耗
    关断开关损耗
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    V
    GE
    =0V
    V
    CE
    =30V
    f=1.0MHz
    I
    F
    =10A
    I
    F
    =20A
    I
    F
    =10A
    的di / dt = 100 A / μs的
    测试条件
    V
    GE
    = 0V时，我
    C
    =250uA
    V
    GE
    =±30V, V
    CE
    =0V
    V
    CE
    =1200V, V
    GE
    =0V
    V
    GE
    = 15V ，我
    C
    =30A
    V
    GE
    = 15V ，我
    C
    =60A
    V
    CE
    =V
    GE
    , I
    C
    =1mA
    I
    C
    =30A
    V
    CC
    =500V
    V
    GE
    =15V
    V
    CC
    =600V,
    I
    c
    =30A,
    V
    GE
    =15V,
    R
    G
    =5Ω,
    感性负载
    分钟。
    1200
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    3
    3.8
    4.4
    55
    12
    27
    20
    20
    65
    200
    1.8
    1.1
    1320
    105
    9
    马克斯。
    -
    ±500
    1
    3.6
    -
    7
    88
    -
    -
    -
    -
    -
    300
    -
    -
    2110
    -
    -
    单位
    V
    nA
    mA
    V
    V
    V
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    mJ
    mJ
    pF
    pF
    pF
    二极管@ T电气特性
    j
    = 25 ℃ （除非另有规定）
    正向电压
    正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    -
    -
    -
    -
    1.7
    1.8
    80
    22
    2
    2.4
    -
    -
    V
    V
    ns
    nC
    数据和规格如有变更，恕不另行通知
    200630061-1/3

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