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特点
•非常快速压摆率 - 900 V / μs的
•功率MOS技术 - 4A峰值评级
•低内部损耗 - 在2V 2A
•保护输出级 - 热敏关闭
•宽电源范围 - ± 15V到± 40V
应用
•视频分发和放大
•高速偏转电路
•功率传感器高达5 MHz的
•调制RF功率级
•电源LED或激光二极管激励
8引脚TO- 3
包装样式CE
典型用途
这种快速功率驱动器利用900V /μs的摆率
PA19 ，并提供与当前输出的唯一接口
DAC 。利用DAC的内部1KΩ反馈电阻，
温度漂移误差最小化，由于温度
漂移的内部电流源和内部的系数
DAC的反馈电阻密切配合。增益
V
OUT
到我
IN
为-6.5 /毫安。 DAC的内部1K的电阻在一起
与外部500Ω和110Ω形成在一个“ T形网络”的
围绕PA19反馈路径。这种有效的抵抗
等于6.5KΩ 。因此，整个电路可以建模为
从输出6.5KΩ反馈电阻到反相输入端和一个
5毫安电流源进PA19的反相输入端。现在
我们看到熟悉的电流到电压转换为一个数模转换器
其中，V
OUT
= –I
IN
个R
反馈
.
描述
该PA19是一种高电压，大电流运算扩增
网络连接器优化以通过从直流驱动各种负载
视频频率范围。优越的输入精度达到
与该级联双单片FET输入晶体管
由两个高压晶体管，提供杰出共同
模式特点。所有内部的电流和电压电平
参照的是一个齐纳二极管由一个电流源偏置上。
作为一个结果， PA19具有优异的直流和交流稳定性
在宽电源和温度范围内。
高速并避免二次击穿的自由是有保证的
通过互补功率MOS输出级。为了达到最佳
线性度，尤其是在低的水平，功率MOS晶体管
被偏置在A / B类模式。热关断提供
全部防护，防止过热和限制散热器
要求消散在内部功率损失
正常操作条件下。内置的0.5A的电流限制
可以增加，增加了两个外部电阻。
瞬态电感负载反冲保护被提供
两个内部钳位二极管。外部相位补偿
允许用户最大的灵活性以获得最佳的
压摆率和增益带宽积，在所有增益设置。一
建议适当型号的散热器。
这种混合型电路采用厚液膜（金属陶瓷）电阻，陶瓷
电容器和硅半导体芯片，以最大限度地提高可靠性
能力，减小尺寸，并获得最佳性能。超声
粘合铝导线提供了可靠的互连可言
操作温度。 8引脚TO- 3封装hermeti-
美云密封和电绝缘。使用可压缩的
热垫圈和/或不正确安装扭矩将导致
产品保修失效。请参阅“一般操作CON-
siderations “ 。
等效原理图
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典型
应用
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外部连接
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