射频衰减器
模型
TG9030
特点
100 MHz至2000 MHz的典型
35分贝衰减范围至1000MHz
工作温度。 - 55 ℃至+ 85 ºC
筛选， MIL -STD- 883提供的表
可作为：
TG9030 ， 5引脚TO- 8 （ T5 ）
TNG9030 ， 4针.450 “SQ 。表面贴装（ SM3 ）
BXG9030 ，外接式外壳（ H6 ）
最大额定值
工作环境温度.............. -55ºC至+ 100 ºC
存储温度............................... -62ºC至+ 125 ºC
外壳温度................................................ 。 + 125 ºC
直流电压................................................ ......... + 18伏
连续的RF输入功率................................. + 20 dBm的
短期RF输入鲍威.... 200毫瓦（最长1分钟）。
最大峰值功率...................... 1瓦（ 3
微秒
最大值）
特定网络阳离子
特征
频率（MHz）
插入损耗（dB ）
(Vc=15v
)
100-500兆赫
500-1000兆赫
1000-2000兆赫
最大衰减量（dB ）
100-500兆赫
500-1000兆赫
1000-2000兆赫
InputVSWR
100-300兆赫
300-2000兆赫
OutputVSWR
100-300兆赫
300-2000兆赫
平整度以上频率。 （ dB）的
5-500 MHz的
5-1000兆赫
偏置电源
控制电源
VDC
mA
VDC
mA
典型
TA = 25℃
100 - 2000兆赫
2.2
1.8
2.0
45
40
30
2.0:1
2.5:1
2.00:1
1.75:1
±0.5
±1
+15伏
8毫安
0至+15伏
0 6.5毫安
200
最小/最大
TA = -55 ºC至+85 ºC
300 - 2000兆赫
4.0最大。
3.0 MAX 。
2.5最大。
40分钟。
35分钟。
20分钟。
3.0： 1最大
3.0 ： 1最大。
3.0 ： 1最大。
2.0 ： 1最大。
± 3.0最大。
± 2.0最大。
+15伏
mA（最大值） 10 。
0至+15伏
0 〜10 mA最大。
400最大。
典型性能数据
0
5
10
15
20
25
30
35
40
启动100兆赫
0
2.0
4.0
6.0
启动100兆赫
停止2000兆赫
停止2000兆赫
V C = 2.7 V
VC = 2.3 V
V C = 4.3 V
衰减（dB ） vs.Frequency与控制电压（伏）
V C = + 15V
插入损耗（dB ） @ VCONTROL = 15伏
开关速度
（纳秒）
10 ％至90％
注意：应始终采取有效地每个单元的情况下。
修订2012/6/5
3.0
2.0
1.0
启动100兆赫
3.0
2.0
1.0
启动100兆赫
输入VSWR
VC = 0 V
V C = 2.6 V
V C = + 15V
+140
+120
+100
+ 80
+ 60
+ 40
+ 20
0
VC = 0 V
第一阶段（度）与频率的关系
V C = 0V
失真产物（ DBC）与衰减@ 500 MHz的
25
二阶谐波
30
35
IP2
40
V C = 2.3 V
+2.5 V
+2.7 V
+4.3 V
V C = + 15V
IP3
停止2000兆赫
45
50
55
60
65
70
75
0
10
30
20
衰减（dB ）
40
50
第三谐波
输出VSWR
- 20
- 40
- 60
V C = + 15V
停止2000兆赫
启动100兆赫
停止2000兆赫
传说
+ 25 ºC
+ 85 ºC - - - - - - -55 ºC
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