er
w
Po
系列
HCTR
HCT
s
or
ct
du
In
高电流环形电感器
此信息
拟中使用的
协助设计者在
部件选择。每
应用程序可能包含
其他变量，
必须考虑
部件选择，如
温度的影响，
波形失真等。
API Delevan公司
销售/工程是
可用于提供
根据需要对信息
科幻吨每个应用程序。
数据代表的
用较少的直流电流
超过1％的纹波和一个
小于AC波形：
50高斯的
HCT- 37X ， 25高斯的磁场强度
在HCT - 44X ， 15高斯
在HCT- 50X和10
高斯在
对HCT- 68X.The效果
交流或脉动通量可
在众多DC显着的
电感器的应用程序。
当显着
更大的AC通量密度
本，它成为
既要考虑其
在两个磁芯损耗影响
和渗透率
（电感） 。
所有的数据点，在
上面的图，是
超过额定直流
当前特定网络版的
55 ℃，从25℃上升
环境是设计
仅供参考，有
并非意在暗示
在这些连续使用
直流电流水平。
对于频率≤ 10千赫
（毫瓦/平方厘米
3
)
Hz
磁芯损耗= 1.47 ×10
–8
对于频率≤ 10千赫
（毫瓦/平方厘米
3
)
Hz
磁芯损耗= 9.07 ×10
–10
BPK
=
ERMS 10
8
4.44 ANF
高斯
f
0.971
B
2.11
高斯
f
1.26
B
2.11
A:
T37 = 0.064厘米
2
; T44 = 0.099厘米
2
;
T50 = 0.112厘米
2
; T68 = 0.179厘米
2
270奎克路，东奥罗拉NY 14052 •电话716-652-3600 •传真716-652-4814 •电子邮件： apisales@delevan.com•www.delevan.com
1/2009
API [ API Delevan ]
