1N23WE 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N23WE
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内容描述：	硅二极管混频器 [SILICON MIXER DIODE]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	1 页 / 19 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

1N23WE

硅二极管混频器

描述：

该

ASI 1N23WE

是硅混频器

二极管专为应用程序

操作从8.0到12.4 GHz的。

封装形式DO- 23

产品特点：

•

职业倦怠的高耐

•

低噪声系数

•

密封包装

最大额定值

DISS

英镑

20毫安

1.0 V

5.0

（尔格）

@ T

= 25 C

-55℃至+ 150℃

无

特征

符号

SWR

FRANGE

= 22

Ω

= 25 C

测试条件

F = 9375 MHz的

= 100

Ω

= 1.0毫瓦

= 30 MHz的

FIF

= 1.5分贝

最小典型

格言

7.5

1.3

单位

F = 1000赫兹

335

8.0

465

12.4

Ω

GHz的

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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